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三維動畫模擬模擬——單晶爐拉晶過程
    发布时间: 2024-03-19 09:09    
三維動畫模擬模擬——單晶爐拉晶過程



用戶需求：

        單晶爐拉晶工藝流程十分復雜，特別要表現硅在封閉式的罐體中高溫溶化及半導體晶體生長全程過程，整裝設備運行處在全封閉和高溫的環境下用傳統視頻拍攝根本無法實現，只能通過三維模擬模擬技術來滿足客戶的需求。

工藝流程：

        單晶爐拉晶採用直拉法工藝（CZ法），又稱為 “提拉法”，是半導體晶體生長的主要方法。在該過程中，硅（Si）首先被熔化，然後通過控制生長溫度實現晶體材料由多晶體變成單晶體。 CZ法工藝的優勢在於速度快，可控程度高。

技術支持：

        三維建模  三維視頻  三維動畫  動效設計 C4D設計 模擬模擬 影視製作

軟件應用：

        C4D OC渲染器 AE PR

        以線上版本為準，上存作品僅作交流展示